[UEL 2013] Na década de 1950, Jack Kilby e Rob...

37 UEL 2013 - Química

Na década de 1950, Jack Kilby e Robert Noyce criaram um dispositivo capaz de conter milhões de transistores por $mm^{2}$ , produzindo transformações na eletrônica. Um dos processos utilizados para a fabricação de circuitos integrados à base de $S i O_{2}$ fundamenta-se na reação de Si com $O_{2}$ com emprego de temperaturas que variam de 1000 a 1200 $^{\circ} C$ , quando um rendimento ótimo é atingido. O filme de $S i O_{2}$ pode ser obtido expondo o silício a alta temperatura em um ambiente contendo oxigênio de alta pureza ou usando-se vapor de água. Com base no exposto, assinale a alternativa correta.

Na equação química

S i_{(s)} + 2 H_{2 (g)} \to S i O_{2 (s)} + 2 H_{2 (g)}

, utilizando vapor de água, o silício é reduzido, o hidrogênio é reduzido e o número de oxidação do oxigênio é aumentado.

Na equação química

S i_{(s)} + O_{2 (g)} \to S i O_{2 (s)}

, utilizando oxigênio de alta pureza, o número de oxidação do silício é aumentado.

O filme de

S i O_{2}

formado em ambiente contendo vapor de água é menos poroso devido à evolução de gás

H_{2 (g)}

como produto da reação.

O rendimento da reação de oxidação térmica representada por

S i_{(s)} + O_{2 (g)} \to S i O_{2 (s)}

independe da temperatura e do tempo de aplicação do fluxo de

O_{2 (g)}

O rendimento da reação de oxidação térmica representada por

S i_{(s)} + O_{2 (g)} \to S i O_{2 (s)}

poderá ser aumentado pela inserção de agentes redutores no ambiente reacional.