Responder à questão com base nas afirmações a seguir.

1. I) Um semicondutor tipo $N$ pode ser obtido dopando o silício, que é tetravalente, com fósforo, que é pentavalente.
   

2. II) Considerando que a energia de um fóton é dada por $E=hf$ e que na relação massa-energia $E=m{c}^2$, um fóton, ao propagar-se no vácuo com velocidade $c=\lambda f$, apresenta massa dada por $m=\frac{hf}{c^2}=\frac{h}{c\lambda }$
   

3. III) Na equação $m=\frac{h}{c\lambda }$, $\mathbf{c}$ é a velocidade da luz no vácuo, $\lambda$ é o comprimento de onda do fóton e $\mathbf{h}$é a constante de Planck.
   

4. IV) No efeito fotoelétrico a energia dos elétrons arrancados pela luz incidente na lâmina metálica é diretamente proporcional ao seu comprimento de onda.
   

Pela análise das afirmações, conclui-se que somente estão corretas